子击穿场强带来了半导体功率器件击穿电压的提高，碳化硅功率器件漂移区的宽带可以降低，因此功率器件可以减少，芯片体积也可以做的更小。

体积更小的芯片是制造可穿戴设备的关键，用户不想戴个笨重的头盔或者是几斤的科技眼镜装X。

另外，碳化硅芯片抗辐射能力也强，今后在太空或者强辐射领域工作也不会有任何问题。普通的芯片或者电子类产品，在辐射强的地方基本都会失去工作能力。

但是将碳化