2/(V·s)，比传统半导体材料如 SiC 和 Si 高很多﹔Lin 等制备出栅长为 350nm 的高性能石墨烯 FET，其载流子迁移率为 2700 cm2/(V·s)！”

“石墨烯具有极其优异的电学、光学、磁学、热学和力学性能，是理想的纳电子和光电子材料。不但具有极佳的导电性能，其热导率也远超已知的最好的热导体，基于石墨烯结构的电子器件可以有非常好的高频响应，对于弹道输运的晶体管其工作