比如更厚、更轻掺杂的堆栈，支持更高的击穿电压，但导通电阻增加。

所以为了在器件上形成沟槽，某些情况下，沟槽尺寸被我们做到了1μ（微米）甚至更小的程度。

为了形成沟槽，我们必须要在器件上沉积另一个掩模层，并且在其中注入掺杂剂。

沟槽被图案化，然后被蚀刻，由于沟槽填充有栅极材料，所以最后形成源极和漏极。

这些步骤每一步都极为重要，需要感谢的是我们大夏官方某蚀